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元件参数资料
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参数目录36240
> QST4TR TRANSISTOR PNP 12V 3A TSMT6
型号:
QST4TR
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Rohm Semiconductor
描述:
TRANSISTOR PNP 12V 3A TSMT6
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
QST4TR PDF
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
12V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
250mV @ 30mA,1.5A
电流 - 集电极截止(最大)
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
270 @ 500mA,2V
功率 - 最大
1.25W
频率 - 转换
280MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装
TSMT6
包装
带卷 (TR)
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